DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 11 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SC-59 DMN1019USNQ-7
- N° de stock RS:
- 244-1912
- Référence fabricant:
- DMN1019USNQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
9,325 €
(TVA exclue)
11,275 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 675 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,373 € | 9,33 € |
| 50 - 75 | 0,365 € | 9,13 € |
| 100 - 225 | 0,27 € | 6,75 € |
| 250 - 975 | 0,263 € | 6,58 € |
| 1000 + | 0,256 € | 6,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-1912
- Référence fabricant:
- DMN1019USNQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | SC-59 | |
| Series | DMN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.1mm | |
| Height | 1.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.7 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type SC-59 | ||
Series DMN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50.6nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.1mm | ||
Height 1.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.7 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in load switch, dc to dc Converters, power management functions.
Low on resistance
ESD Protected gate
Totally lead free and fully RoHS compliant
Halogen and antimony free green device
Liens connexes
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 12 V, 3-Pin SC-59 DMN1019USNQ-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 12 V, 3-Pin SC-59 DMN1019USNQ-13
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 12 V, 3-Pin SOT-346 DMN1019USN-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin U-DFN2020 DMN29M9UFDF-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 12 V, 6-Pin U-DFN2020 DMN1019UFDE-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin DPAK DMTH10H015SK3-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 12 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP1009UFDF-7
