Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET & Diode, 212 A, 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSZ0503NSIATMA1

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244-1566
Référence fabricant:
BSZ0503NSIATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSZ

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon has MOSFET which is OptiMOS power MOSFET,Integrated monolithic Schottky-like diode and Optimized for high performance Buck converter.

N Channel

Superior thermal resistance

Pb-free lead plating;RoHS compliant

Halogen-free according to IEC61249-2-21

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