Nexperia Type N-Channel MOSFET, 10.3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 243-4863
- Référence fabricant:
- PMV50XNEAR
- Fabricant:
- Nexperia
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|---|---|---|
| 3000 + | 0,077 € | 231,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 243-4863
- Référence fabricant:
- PMV50XNEAR
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Nexperia N-channel enhancement mode field effect transistor (FET) in a small SOT23 surface mounted device (SMD) plastic package having trench MOSFET technology.
Low threshold voltage
Extended temperature range Tj = 175 °C
Trench MOSFET technology
Very fast switching
DC to DC conversion
High-speed line driver
Low-side load switch
Switching circuits
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