Microchip MSC750SMA170B Type N-Channel MOSFET, 5 A, 1700 V TO-247 MSC750SMA170B
- N° de stock RS:
- 241-9278
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-24-072
- Référence fabricant:
- MSC750SMA170B
- Fabricant:
- Microchip
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|---|---|---|
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- N° de stock RS:
- 241-9278
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-24-072
- Référence fabricant:
- MSC750SMA170B
- Fabricant:
- Microchip
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1700V | |
| Series | MSC750SMA170B | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 2 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V | ||
Series MSC750SMA170B | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 2 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Low capacitances and low gate charge
Fast switching speed due to low internal gate resistance
Stable operation at high junction temperature TJ(max) equal to 175 °C
Fast and reliable body diode
Superior avalanche ruggedness
RoHS compliant
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