Microchip MSC750SMA170B N-Channel MOSFET, 5 A, 1.7 kV TO-247 MSC750SMA170B
- N° de stock RS:
- 241-9278
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-24-072
- Référence fabricant:
- MSC750SMA170B
- Fabricant:
- Microchip
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- N° de stock RS:
- 241-9278
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-24-072
- Référence fabricant:
- MSC750SMA170B
- Fabricant:
- Microchip
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.7kV | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | MSC750SMA170B | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.7kV | ||
Package Type TO-247 | ||
Series MSC750SMA170B | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Low capacitances and low gate charge
Fast switching speed due to low internal gate resistance
Stable operation at high junction temperature TJ(max) equal to 175 °C
Fast and reliable body diode
Superior avalanche ruggedness
RoHS compliant
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