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Vishay N-Channel MOSFET, 130 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR182LDP-T1-RE3

N° de stock RS:: 239-8641
Référence fabricant:: SIR182LDP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay N-Channel MOSFET, 130 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR182LDP-T1-RE3

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N° de stock RS:: 239-8641
Référence fabricant:: SIR182LDP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	130 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	60 V
	Channel Mode	Depletion
	Pin Count	8
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Automotive Standard	AEC-Q101
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	0.00315 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	125 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	83 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	56 nC
	Width	5.15 mm

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	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 130 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 60 V
	Channel Mode Depletion
	Pin Count 8
	Package Type PowerPAK SO-8
	Automotive Standard AEC-Q101
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 0.00315 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 125 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 83 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 56 nC
	Width 5.15 mm

Datasheet - SIR182LDP-T1-RE3

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

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