Vishay Type N-Channel MOSFET, 90.5 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR104AEP-T1-RE3
- N° de stock RS:
- 239-8613
- Référence fabricant:
- SIDR104AEP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 198 | 3,515 € | 7,03 € |
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- N° de stock RS:
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0021Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 120W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK SO-8DC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0021Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Power Dissipation Pd 120W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 6.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V and 175°C temperature. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.
Very low resistance
UIS tested
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