ROHM Type N-Channel MOSFET, 14 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2280KEHRC11
- N° de stock RS:
- 235-2801
- Référence fabricant:
- SCT2280KEHRC11
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
12,78 €
(TVA exclue)
15,46 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 02 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 12,78 € |
| 10 - 24 | 12,53 € |
| 25 - 49 | 12,29 € |
| 50 - 99 | 12,04 € |
| 100 + | 11,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 235-2801
- Référence fabricant:
- SCT2280KEHRC11
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 108W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 4V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 108W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM SCT series N-channel SiC power MOSFET suitable for solar inverters, DC/DC converters, induction heating and motor drives. It has low on state resistance and fast switching speed.
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Liens connexes
- ROHM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247N SCT2280KEHRC11
- ROHM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247N SCT2280KEGC11
- ROHM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247N SCT2450KEHRC11
- ROHM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247N SCT2450KEGC11
- ROHM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247N SCT2160KEHRC11
- ROHM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247N SCT2160KEGC11
- ROHM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin TO-247N SCT4018KEC11
- ROHM N-Channel MOSFET 1200 V TO-247N SCT4062KEHRC11