ROHM N-Channel MOSFET, 22 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247N SCT2160KEGC11

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235-2795P
Référence fabricant:
SCT2160KEGC11
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

TO-247N

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

160mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

62nC

Maximum Power Dissipation Pd

165W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM SCT series N-channel SiC power MOSFET suitable for solar inverters, DC/DC converters, induction heating and motor drives. It has low on state resistance and fast switching speed.

Fast reverse recovery

Easy to parallel

Simple to drive

Pb-free lead plating

RoHS compliant

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