STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

3 945,00 €

(TVA exclue)

4 773,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +3,945 €3 945,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
233-3038
Référence fabricant:
STB37N60DM2AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

STB37N60

Package Type

TO-263

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

94mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

210W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

15.85mm

Height

4.6mm

Width

10.4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Liens connexes