STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH60N120G2-7

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N° de stock RS:
233-0471P
Référence fabricant:
SCTH60N120G2-7
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.052Ω

Channel Mode

Enhancement

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode.

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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