Références fabricant

STMicroelectronics SCTW N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA60N120G2-4

N° de stock RS:: 230-0094
Référence fabricant:: SCTWA60N120G2-4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTW N-Channel MOSFET, 60 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA60N120G2-4

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 230-0094
Référence fabricant:: SCTWA60N120G2-4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Series	SCTW
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	52mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	388W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Forward Voltage Vf	3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15.9mm
	Width	5.1mm
	Standards/Approvals	No
	Height	21.1mm
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Series SCTW
	Package Type Hip-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 388W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Forward Voltage Vf 3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15.9mm
	Width 5.1mm
	Standards/Approvals No
	Height 21.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTWA60N120G2-4

The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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