Références fabricant

onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V N, 8-Pin TDFN

N° de stock RS:: 229-6481
Référence fabricant:: NTMT190N65S3H
Fabricant:: onsemi

onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V N, 8-Pin TDFN

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 229-6481
Référence fabricant:: NTMT190N65S3H
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SUPERFET III
	Package Type	TDFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	129W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	31nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.1 mm
	Height	8.1mm
	Length	8.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 16A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SUPERFET III
	Package Type TDFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 129W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.1 mm
	Height 8.1mm
	Length 8.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTMT190N65S3H

The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Low effective output capacitance

100% avalanche tested

Higher system reliability at low temperature operation

Pb−free

RoHS compliant

onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V N, 8-Pin TDFN

Liens connexes