Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

3 138,00 €

(TVA exclue)

3 798,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,046 €3 138,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
229-1741
Référence fabricant:
AUIRFR5410TRL
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

AUIRF

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

205mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Forward Voltage Vf

-1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

66W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

2.39mm

Length

6.22mm

Width

6.73 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon p channel MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.

It is lead free

It is RoHS compliant

Liens connexes