Infineon ISC007N04NM6 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 40 V, 8-Pin TDSON

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

4 420,00 €

(TVA exclue)

5 350,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,884 €4 420,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
228-6556
Référence fabricant:
ISC007N04NM6ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

ISC007N04NM6

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

117nC

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

1.2 mm

Length

6.1mm

Height

5.35mm

Automotive Standard

No

The Infineon ISC007N04NM6 optiMOSTM 6 power MOSFET 40V normal level, the Infineon offers a benchmark solution for normal level required applications such as battery-powered applications, battery-powered tools, battery management, and low voltage drives. A higher Vth for the normal level portfolio means that only larger gate voltage spikes would cause an unwanted turn-on.

N-channel enhancement mode

Normal level gate threshold 2.3 V typical

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C junction temperature

Liens connexes