Vishay N-Channel 60 V Type N-Channel MOSFET, 602 A, 60 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ160E-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 225-9968
- Référence fabricant:
- SQJQ160E-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
20,21 €
(TVA exclue)
24,455 €
(TVA incluse)
Ajouter 20 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 550 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 4,042 € | 20,21 € |
| 50 - 120 | 3,638 € | 18,19 € |
| 125 - 245 | 3,194 € | 15,97 € |
| 250 - 495 | 2,95 € | 14,75 € |
| 500 + | 2,144 € | 10,72 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 225-9968
- Référence fabricant:
- SQJQ160E-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 602A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Series | N-Channel 60 V | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 183nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 600W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.7mm | |
| Width | 8 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 602A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Series N-Channel 60 V | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8mΩ | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 183nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 600W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.7mm | ||
Width 8 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Thin 1.6 mm package
Very low thermal resistance
Liens connexes
- Vishay N-Channel 60 V Type N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 60 V Type N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ174EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel 60 V Type N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJA16EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel 60 V Type N-Channel MOSFET 60 V Single, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ164ELP-T1_GE3
- Vishay N-Channel 60 V Type N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 60 V Type N-Channel MOSFET 60 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 60 V Type N-Channel MOSFET 60 V Single, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ180EP-T1_GE3