STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET, 72 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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Référence fabricant:
STWA68N65DM6AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

MDmesh DM6

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

39mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

480W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

118nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

40.92mm

Standards/Approvals

No

Height

5.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

629

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