STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD9N60M6
- N° de stock RS:
- 225-0672
- Référence fabricant:
- STD9N60M6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 0,712 € | 7,12 € |
| 20 - 90 | 0,702 € | 7,02 € |
| 100 - 240 | 0,694 € | 6,94 € |
| 250 - 490 | 0,685 € | 6,85 € |
| 500 + | 0,677 € | 6,77 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 225-0672
- Référence fabricant:
- STD9N60M6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 750mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 76W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 750mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 76W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
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