Références fabricant

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

N° de stock RS:: 224-9999P
Référence fabricant:: SCTH35N65G2V-7AG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 224-9999P
Référence fabricant:: SCTH35N65G2V-7AG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	H2PAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	67mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	3.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	208W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.4mm
	Height	15.25mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type H2PAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 67mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 3.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 208W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.4mm
	Height 15.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTH35N65G2V-7AG

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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