Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099C7XKSA1

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Référence fabricant:
IPP60R099C7XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Width

15.95 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.36mm

Height

4.57mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

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