Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R180C7XKSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

13,88 €

(TVA exclue)

16,795 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 455 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 202,776 €13,88 €
25 - 452,498 €12,49 €
50 - 1202,332 €11,66 €
125 - 2452,164 €10,82 €
250 +2,028 €10,14 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4642
Référence fabricant:
IPA60R180C7XKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications according to JEDEC standards

Liens connexes

Recently viewed