DiodesZetex DMG1012UWQ Type N-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323

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222-2824
Référence fabricant:
DMG1012UWQ-7
Fabricant:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

950mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-323

Series

DMG1012UWQ

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.29W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Height

1.1mm

Width

1.35 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

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