Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 73 A, 80 V N, 3-Pin TO-252 IPD096N08N3GATMA1

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218-3038
Référence fabricant:
IPD096N08N3GATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

73A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.6mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

The Infineon N-Channel Power MOSFET. This MOSFET is ideal for high frequency switching applications.

Optimized technology for DC/DC converters

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating; RoHS compliant

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