Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 35 A, 200 V N, 8-Pin TDSON

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

5 735,00 €

(TVA exclue)

6 940,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 18 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +1,147 €5 735,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
218-2978
Référence fabricant:
BSC350N20NSFDATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.1 mm

Length

5.35mm

Standards/Approvals

No

Height

1.2mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS™ series N-channel power MOSFET. These devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter. It is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.

N-channel, normal level

Very low on-resistance RDS(on)

Pb-free lead plating

Liens connexes