Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R050G7XTMA1
- N° de stock RS:
- 215-2556
- Référence fabricant:
- IPT60R050G7XTMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 215-2556
- Référence fabricant:
- IPT60R050G7XTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Package Type | HSOF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 50mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Package Type HSOF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Cool MOS™ C7 Gold super junction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V Cool MOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.
Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G
Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
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