Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R050G7XTMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

16,25 €

(TVA exclue)

19,662 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 426 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 88,125 €16,25 €
10 - 187,15 €14,30 €
20 - 486,66 €13,32 €
50 - 986,26 €12,52 €
100 +5,765 €11,53 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
215-2556
Référence fabricant:
IPT60R050G7XTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

44A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HSOF

Series

CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

50mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon Cool MOS™ C7 Gold super junction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V Cool MOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G

Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

Liens connexes