Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 76 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IPW60R037P7XKSA1
- N° de stock RS:
- 214-4431
- Référence fabricant:
- IPW60R037P7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | 7,62 € | 15,24 € |
| 4 - 8 | 6,86 € | 13,72 € |
| 10 - 18 | 6,475 € | 12,95 € |
| 20 - 48 | 6,02 € | 12,04 € |
| 50 + | 5,56 € | 11,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4431
- Référence fabricant:
- IPW60R037P7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 76A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | 600V CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 37mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 121nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 76A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series 600V CoolMOS P7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 37mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 121nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
It has rugged body diode
Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity
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