STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

829,47 €

(TVA exclue)

1 003,65 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 01 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 +27,649 €829,47 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
213-3943
Référence fabricant:
SCTWA90N65G2V-4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

Hip-247

Series

SCTWA90N65G2V-4

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

656W

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

21.1 mm

Height

5.1mm

Length

15.9mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Liens connexes