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STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA90N65G2V-4

N° de stock RS:: 213-3943
Référence fabricant:: SCTWA90N65G2V-4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA90N65G2V-4

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N° de stock RS:: 213-3943
Référence fabricant:: SCTWA90N65G2V-4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	119A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SCTWA90N65G2V-4
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	656W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Forward Voltage Vf	2.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	157nC
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Length	15.9mm
	Standards/Approvals	No
	Width	21.1mm
	Height	5.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 119A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SCTWA90N65G2V-4
	Package Type Hip-247
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 656W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Forward Voltage Vf 2.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 157nC
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Length 15.9mm
	Standards/Approvals No
	Width 21.1mm
	Height 5.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTWA90N65G2V-4

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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