Toshiba TK090A65Z Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK090A65Z,S4X(S

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206-9723
Référence fabricant:
TK090A65Z,S4X(S
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

TK090A65Z

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

-1.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10 mm

Height

2.7mm

Standards/Approvals

No

Length

28mm

Automotive Standard

No

The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.

Low drain-source on-resistance 0.075 ?

Storage temperature -55 to 150°C

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