DiodesZetex DMP6110 Type P-Channel MOSFET, 4.2 A, 60 V Enhancement, 6-Pin UDFN
- N° de stock RS:
- 206-0134
- Référence fabricant:
- DMP6110SFDFQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
570,00 €
(TVA exclue)
690,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 09 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,19 € | 570,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 206-0134
- Référence fabricant:
- DMP6110SFDFQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | UDFN | |
| Series | DMP6110 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 130mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.76W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.57mm | |
| Length | 1.95mm | |
| Width | 1.95 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type UDFN | ||
Series DMP6110 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 130mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.76W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.57mm | ||
Length 1.95mm | ||
Width 1.95 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The DiodesZetex 60V,6 pin P channel enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirement of automotive application. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP, and is ideal for use in power management function and battery management application. Its gate-source voltage is 20V with 0.76 W thermal power dissipation..
Low on-resistance
Low input capacitance
Liens connexes
- Diodes Inc DMP6110 P-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP6110SFDFQ-7
- Diodes Inc N/P-Channel MOSFET 30 V U-DFN2020-6 DMC3032LFDB-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin U-DFN2020 DMT6016LFDF-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 12 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP1009UFDF-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 12 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP1005UFDF-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP2016UFDF-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP4047LFDE-7
- Diodes Inc Dual P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP2110UFDB-7
