STMicroelectronics Type N-Channel SiC Power Module, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH50N120-7

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N° de stock RS:
204-3954P
Référence fabricant:
SCTH50N120-7
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.065Ω

Channel Mode

Enhancement

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very tight variation of on-resistance vs.

temperature

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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