STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 68 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247

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Référence fabricant:
STW70N65DM6-4
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

ST

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.036Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

450W

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

41.2mm

Standards/Approvals

No

Width

5.1 mm

Length

15.9mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.

100% avalanche tested

Zener-protected