STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

3 134,00 €

(TVA exclue)

3 792,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 04 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +3,134 €3 134,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
202-5495
Référence fabricant:
STB33N60DM6
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

ST

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.115Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

190W

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.6 mm

Standards/Approvals

No

Height

15.85mm

Length

10.4mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Liens connexes