STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET Modules, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCTWA30N120
- N° de stock RS:
- 202-5494P
- Référence fabricant:
- SCTWA30N120
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 5 - 9 | 20,38 € |
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- N° de stock RS:
- 202-5494P
- Référence fabricant:
- SCTWA30N120
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET Modules | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.09Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET Modules | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCT | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.09Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance