STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 33 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247

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202-5490P
Référence fabricant:
SCTW40N120G2VAG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCT

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.105Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

290W

Forward Voltage Vf

3.4V

Maximum Operating Temperature

200°C

Length

15.75mm

Height

34.95mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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