STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 95 A, 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK

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202-5481P
Référence fabricant:
SCTH100N65G2-7AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

95A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SCT

Package Type

H2PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.02Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

360W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Forward Voltage Vf

2.8V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Height

15.25mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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