STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247

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202-5479P
Référence fabricant:
SCT50N120
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCT

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.59Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

318W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Forward Voltage Vf

3.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

200°C

Height

34.95mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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