Références fabricant

STMicroelectronics SCTH35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH35N65G2V-7

N° de stock RS:: 201-0891P
Référence fabricant:: SCTH35N65G2V-7
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTH35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH35N65G2V-7

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 201-0891P
Référence fabricant:: SCTH35N65G2V-7
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SCTH35
	Package Type	H2PAK-7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.055Ω
	Channel Mode	Enhancement

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SCTH35
	Package Type H2PAK-7
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.055Ω
	Channel Mode Enhancement

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.