Vishay SQD10950E Type N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD10950E_GE3

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200-6792
Référence fabricant:
SQD10950E_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

SQD10950E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

62W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.38 mm

Height

10.41mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay SQD10950E_GE3 is a automotive N-channel 250V (D-S) 175°C MOSFET.

TrenchFET power MOSFET

Package with low thermal resistance

100 % Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

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