STMicroelectronics STD5N Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD5N60DM2

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193-5390
Référence fabricant:
STD5N60DM2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

STD5N

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.55Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.2mm

Standards/Approvals

No

Width

6.2 mm

Length

6.6mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

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