STMicroelectronics MOSFET Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 188-8476P
- Référence fabricant:
- STGP8NC60KD
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 100 - 490 | 0,58 € |
| 500 - 990 | 0,572 € |
| 1000 - 4990 | 0,565 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 188-8476P
- Référence fabricant:
- STGP8NC60KD
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 2.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 15.75mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 2.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.4mm | ||
Height 15.75mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
Lower on voltage drop (VCE(sat))
Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
Short circuit withstand time 10μs
Applications
High frequency motor controls
SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies
Motor drivers