STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7 A, 710 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD8N65M5

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188-8467
Référence fabricant:
STD8N65M5
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

710V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.6mm

Width

6.2 mm

Height

2.17mm

Automotive Standard

No

These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

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Applications

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