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onsemi NTE Type N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4153NT1G

N° de stock RS:: 184-1203
Référence fabricant:: NTE4153NT1G
Fabricant:: onsemi

onsemi NTE Type N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4153NT1G

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N° de stock RS:: 184-1203
Référence fabricant:: NTE4153NT1G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	915mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	NTE
	Package Type	SC-89
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	950mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.82nC
	Maximum Power Dissipation Pd	300mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	6 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.8mm
	Width	0.95 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	1.7mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 915mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series NTE
	Package Type SC-89
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.82nC
	Maximum Power Dissipation Pd 300mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 6 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.8mm
	Width 0.95 mm
	Standards/Approvals No
	Length 1.7mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NTE4153NT1G

Pays d'origine :: CN

Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD Protection

Low RDS(on) Improving System Efficiency

Low Threshold Voltage, 1.5V Rated

ESD Protected Gate

Applications:

Load/Power Switches

Power Supply Converter Circuits

Battery Management

Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.

onsemi NTE Type N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4153NT1G

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