onsemi NTE Type N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4153NT1G
- N° de stock RS:
- 184-1203
- Référence fabricant:
- NTE4153NT1G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 100 unités)*
11,00 €
(TVA exclue)
13,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 4 800 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,11 € | 11,00 € |
| 500 - 900 | 0,095 € | 9,50 € |
| 1000 + | 0,082 € | 8,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 184-1203
- Référence fabricant:
- NTE4153NT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 915mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-89 | |
| Series | NTE | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.82nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.8mm | |
| Length | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 915mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-89 | ||
Series NTE | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.82nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.8mm | ||
Length 1.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD Protection
Low RDS(on) Improving System Efficiency
Low Threshold Voltage, 1.5V Rated
ESD Protected Gate
Applications:
Load/Power Switches
Power Supply Converter Circuits
Battery Management
Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.
Liens connexes
- onsemi NTE Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89
- onsemi NTA Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- onsemi NTA Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 NTA4153NT1G
- onsemi 2N7002T Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-89
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89
- onsemi 2N7002T Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-89 2N7002T
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4151PT1G
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89