Références fabricant

DiodesZetex DMTH6016LK3 Type N-Channel MOSFET, 46.9 A, 60 V Enhancement, 4-Pin TO-252

N° de stock RS:: 182-6943
Référence fabricant:: DMTH6016LK3-13
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex DMTH6016LK3 Type N-Channel MOSFET, 46.9 A, 60 V Enhancement, 4-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

465,00 €

(TVA exclue)

562,50 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 11 janvier 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,186 €	465,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 182-6943
Référence fabricant:: DMTH6016LK3-13
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	46.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-252
	Series	DMTH6016LK3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Height	2.26mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 46.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-252
	Series DMTH6016LK3
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Height 2.26mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet DMTH6016LK3-13

Pays d'origine :: CN

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature

Environments

Low RDS(ON) – Ensures On State Losses Are Minimized

Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM)

Lead-free finish

Halogen and Antimony Free. “Green” Device.

Power Management Functions

DC-DC Converters

Backlighting

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.