DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- N° de stock RS:
- 182-6900
- Référence fabricant:
- DMN6069SE-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
357,50 €
(TVA exclue)
432,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 20 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,143 € | 357,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 182-6900
- Référence fabricant:
- DMN6069SE-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | DMN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 11W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.55mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.65mm | |
| Width | 3.55 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series DMN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 11W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.55mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.65mm | ||
Width 3.55 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Applications
Motor control
Transformer driving switch
DC-DC Converters
Power management functions
Uninterrupted power supply
Liens connexes
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 DMN6069SE-13
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 DMN6040SE-13
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 DMN6068SE-13
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 DMP6023LE-13
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ZVN2106GTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ZVN4206GTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ZVN4306GTA
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ZXMN6A08GTA
