DiodesZetex DMG Type P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 182-6879
- Référence fabricant:
- DMG3415U-7-57
- Fabricant:
- DiodesZetex
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
243,00 €
(TVA exclue)
294,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,081 € | 243,00 € |
| 9000 - 12000 | 0,078 € | 234,00 € |
| 15000 + | 0,076 € | 228,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 182-6879
- Référence fabricant:
- DMG3415U-7-57
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | DMG | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 71mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 900mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series DMG | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 71mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 900mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
ESD Protected Up To 3kV
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. Green Device.
PPAP Capable
Applications
DC-DC Converters
Power Management Functions
Liens connexes
- DiodesZetex DMG Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMG3415U-7-57
- DiodesZetex DMG Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMG Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMG2305UX-13
- DiodesZetex DMG Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMG Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMG6968U-7
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
