Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET, 4.5 A, 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

444,00 €

(TVA exclue)

537,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 30000,148 €444,00 €
6000 +0,141 €423,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
180-7339
Référence fabricant:
SIA817EDJ-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SC-70-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.065Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

6.5W

Forward Voltage Vf

0.56V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual Plus Integrated Schottky

Height

0.75mm

Length

2.05mm

Width

2.05 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay SIA817EDJ is a P-channel MOSFET with schottky diode having drain to source(Vds) voltage of -30V. It is having configuration of dual plus integrated schottky. The gate to source voltage(VGS) is 12V. It is having power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 4.5VGS. Maximum drain current -4.5A.

Little foot plus Schottky power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance thin 0.75 mm profile

Typical ESD protection (MOSFET): 1500 V (HBM)

Liens connexes