Références fabricant

onsemi FDD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD86250-F085

N° de stock RS:: 178-4442
Référence fabricant:: FDD86250-F085
Fabricant:: onsemi

onsemi FDD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD86250-F085

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

15,82 €

(TVA exclue)

19,14 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Temporairement en rupture de stock

5 880 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 90	1,582 €	15,82 €
100 - 240	1,363 €	13,63 €
250 +	1,182 €	11,82 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 178-4442
Référence fabricant:: FDD86250-F085
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	TO-252
	Series	FDD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Forward Voltage Vf	1.25V
	Maximum Power Dissipation Pd	160W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.39mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type TO-252
	Series FDD
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Forward Voltage Vf 1.25V
	Maximum Power Dissipation Pd 160W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.39mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: PH

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Typical RDS(on) = 19.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 20 A

Typical Qg(tot) = 28 nC at VGS = 10V, ID = 40 A

UIS Capability

Applications:

Automotive Engine Control

PowerTrain Management

Solenoid and Motor Drivers

Distributed Power Architectures and VRM

Primary Switch for 12V Systems

End Products:

Integrated Starter/Alternator

onsemi FDD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD86250-F085

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes