onsemi FDD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD86250-F085

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178-4442
Référence fabricant:
FDD86250-F085
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-252

Series

FDD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Forward Voltage Vf

1.25V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.39mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
PH
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Typical RDS(on) = 19.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 20 A

Typical Qg(tot) = 28 nC at VGS = 10V, ID = 40 A

UIS Capability

Applications:

Automotive Engine Control

PowerTrain Management

Solenoid and Motor Drivers

Distributed Power Architectures and VRM

Primary Switch for 12V Systems

End Products:

Integrated Starter/Alternator

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