Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L
- N° de stock RS:
- 178-3901P
- Référence fabricant:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay Siliconix
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total 50 unités (conditionné en bande continue)*
42,25 €
(TVA exclue)
51,10 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 1 740 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,845 € |
| 100 - 490 | 0,794 € |
| 500 - 990 | 0,748 € |
| 1000 + | 0,656 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 178-3901P
- Référence fabricant:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay Siliconix
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SC-70-6L | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0185Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SC-70-6L | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0185Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Length 2.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS – Qoss