Microchip TN2540 Type N-Channel MOSFET, 260 mA, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-243

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177-9854P
Référence fabricant:
TN2540N8-G
Fabricant:
Microchip
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Marque

Microchip

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

260mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Series

TN2540

Package Type

TO-243

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

4.6mm

Standards/Approvals

No

Height

1.6mm

Automotive Standard

No

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold (2.0V max.)

High input impedance

Low input capacitance (125pF max.)

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

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