Toshiba 2 Type N-Channel MOSFET, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 SSM6N35FE

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171-2510
Référence fabricant:
SSM6N35FE
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-563

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

20Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.6 mm

Length

1.2mm

Height

0.55mm

Number of Elements per Chip

2

Pays d'origine :
TH
1.2-V drive

N-ch 2-in-1

Low ON-resistance: Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1.2 V)

Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)

Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)

Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V)

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