Toshiba Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSON TPN2R304PL

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171-2390
Référence fabricant:
TPN2R304PL
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

3.1 mm

Standards/Approvals

No

Height

0.85mm

Length

3.1mm

Automotive Standard

No

Statut RoHS non applicable

High-Efficiency DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Motor Drivers

High-speed switching

Small gate charge: QSW = 10.8 nC (typ.)

Small output charge: Qoss = 27 nC (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Enhancement mode: Vth = 1.4 to 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

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